国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么 国产光刻机上前迈了一小步
2024-10-08波长为193nm(纳米)、远隔率≤65nm、套刻≤8nm……日前,工信部的一份文献,再次把国产光刻机推入公众视线,以致传放洋产DUV光刻机防碍8nm工艺的“重磅音书”。 9月9日,工信部旗下微信公众号“工信微报”推送了工信部于9月2日签发的对于印发《首台(套)首要期间装备引申哄骗率领目次(2024年版)》的见告文献,见告文献中的“电子专用装备”的第一项即“集成电路坐褥装备”,明确提到氟化氪(KrF)光刻机和氟化氩(ArF)光刻机的期间缠绵,尤其是氟化氩光刻机,文献表明其套刻精度≤8nm。 《中